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TPC8109(TE12L)

廠家:
  Toshiba
封裝:
 8-SOIC(0.173",4.40mm 寬)
數(shù)量:
 738  
說明:
 MOSFET P-CH 30V 10A 8-SOP
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TPC8109(TE12L)-8-SOIC(0.173

TPC8109(TE12L) PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:
FET 型MOSFET P 通道,金屬氧化物
FET 特點(diǎn)邏輯電平門
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C20 毫歐 @ 5A, 10V
漏極至源極電壓(Vdss)30V
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大)2V @ 1mA
閘電荷(Qg) @ Vgs45nC @ 10V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C10A
在 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss) 2260pF @ 10V
功率 - 最大1W
安裝類型表面貼裝

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