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TPC8113(TE12L,Q)

廠家:
  Toshiba
封裝:
 8-SOIC(0.173",4.40mm 寬)
數(shù)量:
 819  
說明:
 MOSFET MOSFET P-Ch 30V 11A
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TPC8113(TE12L,Q)-8-SOIC(0.173

TPC8113(TE12L,Q) PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:

工廠包裝數(shù)量:3000
上升時間:6 ns
功率耗散:1.9 W
下降時間:120 ns
包裝形式:Reel
封裝形式:SOP-8
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
配置:Single Quad Drain Triple Source
電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.01 Ohms
漏極連續(xù)電流:11 A
閘/源擊穿電壓:+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓:- 30 V
晶體管極性:P-Channel
RoHS:是
產(chǎn)品種類:MOSFET
制造商:Toshiba

以上是TPC8113(TE12L,Q)的詳細(xì)信息,包括TPC8113(TE12L,Q)廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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