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中文參數(shù)如下：
：-55°C ~ 150°C（TJ）
功率耗散（最大值）：360mW（Ta）
FET 功能：-
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：110 pF @ 25 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）：-
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：2.4V @ 1mA
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：30 歐姆 @ 200mA，10V
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：85mA（Tj）
漏源電壓（Vdss）：350 V
技術：MOSFET（金屬氧化物）
FET 類型：P 通道
產(chǎn)品狀態(tài)：在售
包裝：-
系列：卷帶（TR）
品牌：Microchip Technology
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