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TN0604N3-G-P013

廠家：: Microchip Technology
封裝：: TO-92-3
數(shù)量：: 2940
說明：: MOSFET N-CH 40V 700MA TO92-3

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TN0604N3-G-P013 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
：-55°C ~ 150°C（TJ）
功率耗散（最大值）：740mW（Ta）
FET 功能：-
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：190 pF @ 20 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）：-
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：1.6V @ 1mA
不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）：750 毫歐 @ 1.5A，10V
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：5V，10V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：700mA（Tj）
漏源電壓（Vdss）：40 V
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
FET 類型：N 通道
產(chǎn)品狀態(tài)：在售
包裝：-
系列：帶盒（TB）
品牌：Microchip Technology

以上是TN0604N3-G-P013的詳細(xì)信息，包括TN0604N3-G-P013廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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