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首頁(yè) > 電子元件分類 > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > MOSFET > TN0200T

TN0200T

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: TO-236-3
數(shù)量：: 144
說(shuō)明：: MOSFET 20V 1.2A 0.35W

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TN0200T PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時(shí)間：21 ns
工廠包裝數(shù)量：1000
上升時(shí)間：14 ns
功率耗散：350 mW
最小工作溫度：- 55 C
下降時(shí)間：14 ns
封裝形式：TO-236-3
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：400 mOhms at 4.5 V
漏極連續(xù)電流：0.73 A
閘/源擊穿電壓：+/- 8 V
汲極/源極擊穿電壓：20 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：否
制造商：Vishay

以上是TN0200T的詳細(xì)信息，包括TN0200T廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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