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首頁 > 電子元件分類 > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > MOSFET > TK7P65W,RQ

TK7P65W,RQ

廠家：: Toshiba Semiconductor and Storage
封裝：: DPAK
數(shù)量：: 4617
說明：: MOSFET N-CH 650V 6.8A DPAK

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TK7P65W,RQ PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
：150°C（TJ）
功率耗散（最大值）：60W（Tc）
FET 功能：-
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：490 pF @ 300 V
Vgs（最大值）：±30V
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）：15 nC @ 10 V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 250μA
不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）：800 毫歐 @ 3.4A，10V
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：6.8A（Ta）
漏源電壓（Vdss）：650 V
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
FET 類型：N 通道
產(chǎn)品狀態(tài)：在售
包裝：DTMOSIV
系列：卷帶（TR）,剪切帶（CT）,Digi-Reel? 得捷定制卷帶
品牌：Toshiba Semiconductor and Storage

以上是TK7P65W,RQ的詳細(xì)信息，包括TK7P65W,RQ廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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