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TK34A10N1,S4X

廠家:
  Toshiba Semiconductor and Storage
封裝:
 TO-220SIS
數(shù)量:
 3924  
說明:
 MOSFET N-CH 100V 34A TO220SIS
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TK34A10N1,S4X-TO-220SIS圖片

TK34A10N1,S4X PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:
:150°C(TJ)
功率耗散(最大值):35W(Tc)
FET 功能:-
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值):2600 pF @ 50 V
Vgs(最大值):±20V
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷?(Qg)(最大值):38 nC @ 10 V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)(最大值):4V @ 500μA
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值):9.5 毫歐 @ 17A,10V
驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):34A(Tc)
漏源電壓(Vdss):100 V
技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
FET 類型:N 通道
產(chǎn)品狀態(tài):在售
包裝:U-MOSVIII-H
系列:管件
品牌:Toshiba Semiconductor and Storage

以上是TK34A10N1,S4X的詳細(xì)信息,包括TK34A10N1,S4X廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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