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TK09H90A(Q)

廠家：
  Toshiba
封裝：
 TO-3P(W)
數(shù)量：
 333  
說(shuō)明：
 MOSFET MOSFET N-Ch 900V 9A Rdson=1.3Ohm
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TK09H90A(Q) PDF參數(shù)資料

中文參數(shù)如下：

工廠包裝數(shù)量：20
上升時(shí)間：25 ns
功率耗散：150 W
下降時(shí)間：20 ns
包裝形式：Bulk
封裝形式：TO-3P(W)
安裝風(fēng)格：Through Hole
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：1.3 Ohms
漏極連續(xù)電流：9 A
閘/源擊穿電壓：30 V
汲極/源極擊穿電壓：900 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類(lèi)：MOSFET
制造商：Toshiba

以上是TK09H90A(Q)的詳細(xì)信息，包括TK09H90A(Q)廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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