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中文參數(shù)如下：
：175°C
功率耗散（最大值）：180W（Tc）
FET 功能：-
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：7700 pF @ 10 V
Vgs（最大值）：+10V，-20V
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）：172 nC @ 10 V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：2V @ 1mA
不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）：4.3 毫歐 @ 45A，10V
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：90A（Ta）
漏源電壓（Vdss）：40 V
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
FET 類型：P 通道
產(chǎn)品狀態(tài)：在售
包裝：U-MOSVI
系列：卷帶（TR）,剪切帶（CT）,Digi-Reel? 得捷定制卷帶
品牌：Toshiba Semiconductor and Storage
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