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SUP85N10-10-GE3

廠家：
  Vishay/Siliconix
封裝：
 -
數(shù)量：
 3781  
說明：
 MOSFET 100V 85A 250W 10.5mohm @ 10V
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SUP85N10-10-GE3--圖片

SUP85N10-10-GE3 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

工廠包裝數(shù)量：500
功率耗散：250 W
最小工作溫度：- 55 C
包裝形式：Tube
封裝形式：TO-220AB-3
安裝風(fēng)格：Through Hole
最大工作溫度：+ 175 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：10.5 mOhms
漏極連續(xù)電流：85 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：100 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SUP85N10-10-GE3的詳細(xì)信息，包括SUP85N10-10-GE3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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