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SUM65N20-30-E3

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: TO-263（D2Pak）
數(shù)量：: 16461
說明：: MOSFET 200V 65A 375W 30mohm @ 10V

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SUM65N20-30-E3 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時(shí)間：45 ns
工廠包裝數(shù)量：800
上升時(shí)間：220 ns
功率耗散：3.75 W
最小工作溫度：- 55 C
正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）：25 S
下降時(shí)間：200 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：TO-263-3
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 175 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：30 mOhms
漏極連續(xù)電流：65 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：200 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SUM65N20-30-E3的詳細(xì)信息，包括SUM65N20-30-E3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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