日韩精品在线免费播放-午夜激情网址-日韩黄色一区-91网站免费在线观看-www黄色com-福利网站在线观看-欧美一区二区三区大片-久久久久久久久久久久久久国产-成人理论片-2020亚洲天堂-黄色成人91-毛片视频免费观看-一区二区黄色片-91亚洲精品在线-国产免费看av-黄色一级淫片-国产一级理论片

首頁 > 電子元件分類 > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > MOSFET > SUD35N10-26P-T4GE3

SUD35N10-26P-T4GE3

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: TO-252AA
數(shù)量：: 2538
說明：: MOSFET N-CH D-S 100V TO252

一、本商品被瀏覽0次.

SUD35N10-26P-T4GE3 PDF參數(shù)資料

點擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下：
FET 型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點：標(biāo)準(zhǔn)型
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：26 毫歐 @ 12A, 10V
漏極至源極電壓(Vdss)：100V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C：35A
Id 時的 Vgs(th)（最大）：4.4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs：47nC @ 10V
在 Vds 時的輸入電容(Ciss) ：2000pF @ 12V
功率 - 最大：83W
安裝類型：表面貼裝

以上是SUD35N10-26P-T4GE3的詳細(xì)信息，包括SUD35N10-26P-T4GE3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

其他晶體管產(chǎn)品：

達林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET IGBT 晶體管開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器

MOSFET最新產(chǎn)品：