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SUD35N10-26P-GE3

廠家:
  Vishay/Siliconix
封裝:
 TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63
數(shù)量:
 8008  
說明:
 MOSFET 100V 35A 83W 26mohm @ 10V
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SUD35N10-26P-GE3-TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63圖片

SUD35N10-26P-GE3 PDF參數(shù)資料

PDF點擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下:

功率耗散:8.3 W
最小工作溫度:- 55 C
包裝形式:Reel
封裝形式:TO-252-3
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 175 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):26 mOhms
漏極連續(xù)電流:12 A
閘/源擊穿電壓:+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓:100 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產(chǎn)品種類:MOSFET
制造商:Vishay

以上是SUD35N10-26P-GE3的詳細(xì)信息,包括SUD35N10-26P-GE3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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