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SUB65P04-15-E3

廠家:
  Vishay/Siliconix
封裝:
 TO-263-3
數(shù)量:
 63  
說明:
 MOSFET 40V 65A 120W
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SUB65P04-15-E3 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:

典型關(guān)閉延遲時(shí)間:75 ns
工廠包裝數(shù)量:800
上升時(shí)間:380 ns
功率耗散:3.75 W
最小工作溫度:- 55 C
下降時(shí)間:140 ns
包裝形式:Reel
封裝形式:TO-263-3
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 175 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):15 mOhms
漏極連續(xù)電流:65 A
閘/源擊穿電壓:+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓:40 V
晶體管極性:P-Channel
RoHS:是
產(chǎn)品種類:MOSFET
制造商:Vishay

以上是SUB65P04-15-E3的詳細(xì)信息,包括SUB65P04-15-E3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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