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STW68N65DM6-4AG

廠家：: STMicroelectronics
封裝：: TO-247-4
數(shù)量：: 18
說明：: MOSFET N-CH 650V 72A TO247-4

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STW68N65DM6-4AG PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
：-55°C ~ 150°C（TJ）
功率耗散（最大值）：480W（Tc）
FET 功能：-
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：5900 pF @ 100 V
Vgs（最大值）：±25V
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）：118 nC @ 10 V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：4.75V @ 250μA
不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）：39 毫歐 @ 36A，10V
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：-
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：72A（Tc）
漏源電壓（Vdss）：650 V
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
FET 類型：N 通道
產(chǎn)品狀態(tài)：在售
包裝：Automotive, AEC-Q101, MDmesh?
系列：管件
品牌：STMicroelectronics

以上是STW68N65DM6-4AG的詳細信息，包括STW68N65DM6-4AG廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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