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STU5N65M6

廠家:
  STMicroelectronics
封裝:
 TO-251(IPAK)
數量:
 1980  
說明:
 MOSFET N-CH 650V 4A IPAK
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STU5N65M6 PDF參數資料

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中文參數如下:
:-55°C ~ 150°C(TJ)
功率耗散(最大值):45W(Tc)
FET 功能:-
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值):170 pF @ 100 V
Vgs(最大值):±25V
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)(最大值):5.1 nC @ 10 V
不同 Id 時 Vgs(th)(最大值):3.75V @ 250μA
不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值):1.3 歐姆 @ 2A,10V
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):4A(Tc)
漏源電壓(Vdss):650 V
技術:MOSFET(金屬氧化物)
FET 類型:N 通道
產品狀態(tài):在售
包裝:MDmesh? M6
系列:管件
品牌:STMicroelectronics

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