STS5DP3LLH6

廠家：: STMicroelectronics
封裝：: 8-SO
數(shù)量：: 1395
說明：: MOSFET 2 P-CHANNEL 30V 5A 8SO

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STS5DP3LLH6 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
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封裝封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
安裝類型：表面貼裝型
工作溫度：150°C（TJ）
功率 - 最大值：2.7W
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）：639pF @ 25V
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷?(Qg)（最大值）：6nC @ 4.5V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250μA
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：56 毫歐 @ 2.5A，10V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：5A（Ta）
漏源電壓（Vdss）：30V
FET 功能：邏輯電平柵極，4.5V 驅(qū)動(dòng)
配置：2 個(gè) P 溝道（雙）
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
產(chǎn)品狀態(tài)：停產(chǎn)
包裝：DeepGATE?, STripFET? H6
系列：卷帶（TR）
品牌：STMicroelectronics

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