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首頁 > 電子元件分類 > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > MOSFET > STS4C3F60L

STS4C3F60L

廠家：: STMicroelectronics
封裝：: 8-SOIC
數(shù)量：: 3762
說明：: MOSFET N/P-Ch 60V 4/3 Amp

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STS4C3F60L PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時間：45 ns, 39 ns
工廠包裝數(shù)量：2500
上升時間：28 ns, 54 ns
功率耗散：2 W
最小工作溫度：- 55 C
正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）：7.2 S
下降時間：10 ns, 14.5 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：SO-8
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Dual Dual Drain
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.055 Ohms
漏極連續(xù)電流：4 A, - 3 A
閘/源擊穿電壓：+/- 16 V
汲極/源極擊穿電壓：+/- 60 V
晶體管極性：N and P-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：STMicroelectronics

以上是STS4C3F60L的詳細(xì)信息，包括STS4C3F60L廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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