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STP33N60DM6

廠家:
  STMicroelectronics
封裝:
 TO-220
數(shù)量:
 6354  
說明:
 MOSFET N-CH 600V 25A TO220
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STP33N60DM6-TO-220圖片

STP33N60DM6 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:
:-55°C ~ 150°C(TJ)
功率耗散(最大值):190W(Tc)
FET 功能:-
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值):1500 pF @ 100 V
Vgs(最大值):±25V
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)(最大值):35 nC @ 10 V
不同 Id 時 Vgs(th)(最大值):4.75V @ 250μA
不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值):128毫歐 @ 12.5A,10V
驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):25A(Tc)
漏源電壓(Vdss):600 V
技術:MOSFET(金屬氧化物)
FET 類型:N 通道
產(chǎn)品狀態(tài):在售
包裝:MDmesh? M6
系列:管件
品牌:STMicroelectronics

以上是STP33N60DM6的詳細信息,包括STP33N60DM6廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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