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STP11N65M2

廠家：: STMicroelectronics
封裝：: TO-220
數(shù)量：: 4149
說明：: MOSFET N-CH 650V 7A TO220

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STP11N65M2 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
：-55°C ~ 150°C（TJ）
功率耗散（最大值）：85W（Tc）
FET 功能：-
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：410 pF @ 100 V
Vgs（最大值）：±25V
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）：12.5 nC @ 10 V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：670 毫歐 @ 3.5A，10V
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：7A（Tc）
漏源電壓（Vdss）：650 V
技術：MOSFET（金屬氧化物）
FET 類型：N 通道
產品狀態(tài)：在售
包裝：MDmesh? II Plus
系列：管件
品牌：STMicroelectronics

以上是STP11N65M2的詳細信息，包括STP11N65M2廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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