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中文參數(shù)如下：
典型關(guān)閉延遲時(shí)間：13 ns
工廠(chǎng)包裝數(shù)量：4000
上升時(shí)間：5 ns
功率耗散：3.3 W
最小工作溫度：- 55 C
正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值） ：0.5 S
下降時(shí)間：18 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：SOT-223
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single Dual Drain
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：15 Ohms
漏極連續(xù)電流：0.3 A
閘/源擊穿電壓：+/- 30 V
汲極/源極擊穿電壓：600 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類(lèi)：MOSFET
制造商：STMicroelectronics
以上是STN1NK60Z的詳細(xì)信息，包括STN1NK60Z廠(chǎng)家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!
