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STI20NM65N

廠家:
  STMicroelectronics
封裝:
 TO-262
數(shù)量:
 7506  
說明:
 MOSFET N-Channel 650V Pwr Mosfet
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STI20NM65N PDF參數(shù)資料

中文參數(shù)如下:

典型關(guān)閉延遲時間:80 ns
上升時間:10 ns
功率耗散:160 W
最小工作溫度:- 55 C
下降時間:20 ns
包裝形式:Tube
封裝形式:TO-262
安裝風(fēng)格:Through Hole
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.19 Ohms
漏極連續(xù)電流:19 A
閘/源擊穿電壓:+/- 25 V
汲極/源極擊穿電壓:650 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:否
產(chǎn)品種類:MOSFET
制造商:STMicroelectronics

以上是STI20NM65N的詳細(xì)信息,包括STI20NM65N廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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