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STH275N8F7-6AG

廠家:
  STMicroelectronics
封裝:
 H2PAK-6
數(shù)量:
 7569  
說明:
 MOSFET N-CH 80V 180A H2PAK-6
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STH275N8F7-6AG-H2PAK-6圖片

STH275N8F7-6AG PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:
:-55°C ~ 175°C(TJ)
功率耗散(最大值):315W(Tc)
FET 功能:-
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值):13600 pF @ 50 V
Vgs(最大值):±20V
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)(最大值):193 nC @ 10 V
不同 Id 時 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 250μA
不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值):2.1 毫歐 @ 90A,10V
驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):180A(Tc)
漏源電壓(Vdss):80 V
技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
FET 類型:N 通道
產(chǎn)品狀態(tài):在售
包裝:Automotive, AEC-Q101, STripFET? F7
系列:卷帶(TR),剪切帶(CT),Digi-Reel? 得捷定制卷帶
品牌:STMicroelectronics

以上是STH275N8F7-6AG的詳細信息,包括STH275N8F7-6AG廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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