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STH180N10F3-2

廠家：: STMicroelectronics
封裝：: H2Pak-2
數(shù)量：: 3825
說明：: MOSFET N-Ch 100V 3.9 mOhm 180A STripFET

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STH180N10F3-2 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

上升時(shí)間：97.1 ns
功率耗散：315 W
柵極電荷 Qg：114.6 nC
下降時(shí)間：6.9 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：TO-220
安裝風(fēng)格：Through Hole
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：4.5 mOhms
漏極連續(xù)電流：120 A
閘/源擊穿電壓：20 V
汲極/源極擊穿電壓：100 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：STMicroelectronics

以上是STH180N10F3-2的詳細(xì)信息，包括STH180N10F3-2廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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