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STFI11NM65N

廠家：: STMicroelectronics
封裝：: I2PAKFP（TO-281）
數(shù)量：: 2214
說明：: MOSFET N CH 650V 11A I2PAKFP

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STFI11NM65N PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
：150°C（TJ）
功率耗散（最大值）：25W（Tc）
FET 功能：-
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：800 pF @ 50 V
Vgs（最大值）：±25V
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）：29 nC @ 10 V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：455 毫歐 @ 5.5A，10V
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：11A（Tc）
漏源電壓（Vdss）：650 V
技術：MOSFET（金屬氧化物）
FET 類型：N 通道
產(chǎn)品狀態(tài)：停產(chǎn)
包裝：MDmesh? II
系列：管件
品牌：STMicroelectronics

以上是STFI11NM65N的詳細信息，包括STFI11NM65N廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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