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STD9NM50N-1

廠家:
  STMicroelectronics
封裝:
 I-PAK
數(shù)量:
 3699  
說明:
 MOSFET N-Channel 500V Pwr Mosfet
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STD9NM50N-1-I-PAK圖片

STD9NM50N-1 PDF參數(shù)資料

PDF點(diǎn)擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下:

典型關(guān)閉延遲時(shí)間:45 ns
上升時(shí)間:16 ns
功率耗散:70 W
最小工作溫度:- 55 C
下降時(shí)間:19 ns
包裝形式:Tube
封裝形式:DPAK
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.56 Ohms
漏極連續(xù)電流:7.5 A
閘/源擊穿電壓:+/- 25 V
汲極/源極擊穿電壓:500 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產(chǎn)品種類:MOSFET
制造商:STMicroelectronics

以上是STD9NM50N-1的詳細(xì)信息,包括STD9NM50N-1廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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