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首頁 > 電子元件分類 > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > MOSFET > STD80N6F6

STD80N6F6

廠家：: STMicroelectronics
封裝：: DPAK
數(shù)量：: 2574
說明：: MOSFET N-CH 60V 80A DPAK

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STD80N6F6 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
：-55°C ~ 175°C（TJ）
功率耗散（最大值）：120W（Tc）
FET 功能：-
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：7480 pF @ 25 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）：122 nC @ 10 V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 250μA
不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）：6.5 毫歐 @ 40A，10V
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：80A（Tc）
漏源電壓（Vdss）：60 V
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
FET 類型：N 通道
產(chǎn)品狀態(tài)：停產(chǎn)
包裝：Automotive, AEC-Q101, DeepGATE?, STripFET? VI
系列：卷帶（TR）,剪切帶（CT）,Digi-Reel? 得捷定制卷帶
品牌：STMicroelectronics

以上是STD80N6F6的詳細(xì)信息，包括STD80N6F6廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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