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首頁 > 電子元件分類 > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > MOSFET > STD6N60DM2

STD6N60DM2

廠家：: STMicroelectronics
封裝：: D-PAK（TO-252）
數(shù)量：: 1701
說明：: MOSFET N-CH 600V 5A DPAK

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STD6N60DM2 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
：-55°C ~ 150°C（TJ）
功率耗散（最大值）：60W（Tc）
FET 功能：-
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：274 pF @ 100 V
Vgs（最大值）：±25V
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）：6.2 nC @ 10 V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：4.75V @ 250μA
不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）：1.1歐姆 @ 2.5A，10V
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：5A（Tc）
漏源電壓（Vdss）：600 V
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
FET 類型：N 通道
產(chǎn)品狀態(tài)：在售
包裝：MDmesh? DM2
系列：卷帶（TR）
品牌：STMicroelectronics

以上是STD6N60DM2的詳細信息，包括STD6N60DM2廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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