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STD616AT4

廠家:
  STMicroelectronics
封裝:
 TO-252
數(shù)量:
 6147  
說明:
 兩極晶體管 - BJT Hi Vltg NPN Pwr Transistor
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STD616AT4-TO-252圖片

STD616AT4 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:

工廠包裝數(shù)量:2500
包裝形式:Reel
最小工作溫度:- 65 C
最大功率耗散:20000 mW
封裝形式:TO-252
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
直流集電極/Base Gain hfe Min:17
最大直流電集電極電流:1.6 A
發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:12 V
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:450 V
集電極—基極電壓 VCBO:1000 V
晶體管極性:NPN
配置:Single
RoHS:是
產(chǎn)品種類:兩極晶體管 - BJT
制造商:STMicroelectronics

以上是STD616AT4的詳細信息,包括STD616AT4廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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