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STD5N65M6

廠家：
  STMicroelectronics
封裝：
 DPAK
數(shù)量：
 1971  
說明：
 MOSFET N-CH 650V DPAK
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STD5N65M6-DPAK圖片

STD5N65M6 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
：-55°C ~ 150°C（TJ）
功率耗散（最大值）：45W（Tc）
FET 功能：-
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）：170 pF @ 100 V
Vgs（最大值）：±25V
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷?(Qg)（最大值）：5.1 nC @ 10 V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）：3.75V @ 250μA
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：1.3 歐姆 @ 2A，10V
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：0V，10V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：4A（Tc）
漏源電壓（Vdss）：650 V
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
FET 類型：N 通道
產(chǎn)品狀態(tài)：在售
包裝：MDmesh? M6
系列：卷帶（TR）
品牌：STMicroelectronics

以上是STD5N65M6的詳細(xì)信息，包括STD5N65M6廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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