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首頁(yè) > 電子元件分類 > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > MOSFET > STD2LN60K3

STD2LN60K3

廠家：: STMicroelectronics
封裝：: DPAK
數(shù)量：: 8226
說(shuō)明：: MOSFET N-Ch 600V 4ohm 2A SuperMESH3 FET

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STD2LN60K3 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時(shí)間：23.5 ns
上升時(shí)間：8.5 ns
功率耗散：45 W
柵極電荷 Qg：12 nC
下降時(shí)間：21 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：DPAK
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：4.5 Ohms
漏極連續(xù)電流：2 A
閘/源擊穿電壓：30 V
汲極/源極擊穿電壓：600 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
制造商：STMicroelectronics

以上是STD2LN60K3的詳細(xì)信息，包括STD2LN60K3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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