中文參數(shù)如下：

工廠包裝數(shù)量：75
上升時(shí)間：120 ns
功率耗散：55 W
最小工作溫度：- 65 C
下降時(shí)間：60 ns
包裝形式：Tube
封裝形式：IPAK
安裝風(fēng)格：Through Hole
最大工作溫度：+ 175 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.085 Ohms
漏極連續(xù)電流：17 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：60 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：否
制造商：STMicroelectronics

以上是STD17N06-1的詳細(xì)信息，包括STD17N06-1廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

其他晶體管產(chǎn)品：

達(dá)林頓晶體管   兩極晶體管 - BJT    JFET   IGBT 晶體管   開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器  

MOSFET最新產(chǎn)品：

IPB240N03S4LR9ATMA1

IPD040N08NF2SATMA1

FDMC86260ET150

SIHA6N65E-E3

CSD18531Q5AT

IPB043N10NF2SATMA1

MCB200N06Y-TP

STH150N10F7-2

SIR572DP-T1-RE3

NVMYS2D9N04CLTWG