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中文參數(shù)如下：
：-
功率耗散（最大值）：-
FET 功能：-
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）：-
Vgs（最大值）：-
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷?(Qg)（最大值）：-
不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）：-
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：-
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：-
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：5.4A（Tc）
漏源電壓（Vdss）：-
技術(shù)：-
FET 類型：-
產(chǎn)品狀態(tài)：在售
包裝：-
系列：卷帶（TR）
品牌：STMicroelectronics
以上是STB6N65K3的詳細(xì)信息，包括STB6N65K3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!
