STB46N60M6

廠家：: STMicroelectronics
封裝：: D2PAK（TO-263）
數(shù)量：: 4788
說明：: MOSFET N-CH 600V 36A D2PAK

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中文參數(shù)如下：
：-55°C ~ 150°C（TJ）
功率耗散（最大值）：250W（Tc）
FET 功能：-
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）：2340 pF @ 100 V
Vgs（最大值）：±25V
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷?(Qg)（最大值）：53.5 nC @ 10 V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）：4.75V @ 250μA
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：80 毫歐 @ 18A，10V
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：36A（Tc）
漏源電壓（Vdss）：600 V
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
FET 類型：N 通道
產(chǎn)品狀態(tài)：在售
包裝：Automotive, AEC-Q101
系列：卷帶（TR）
品牌：STMicroelectronics

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