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STB30N65M5

廠家：: STMicroelectronics
封裝：: D2PAK
數(shù)量：: 7174
說明：: MOSFET POWER MOSFET N-CH 650V

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STB30N65M5 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時(shí)間：50 ns
上升時(shí)間：8 ns
功率耗散：140 W
柵極電荷 Qg：64 nC
下降時(shí)間：10 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：D2PAK
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：125 mOhms
漏極連續(xù)電流：22 A
汲極/源極擊穿電壓：650 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：STMicroelectronics

以上是STB30N65M5的詳細(xì)信息，包括STB30N65M5廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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