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STB28NM50N

廠家：: STMicroelectronics
封裝：: TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB
數(shù)量：: 6656
說明：: MOSFET N-Ch 500V 0.135 21A MDmesh II

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STB28NM50N-TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB圖片

STB28NM50N PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時(shí)間：62 ns
上升時(shí)間：19 ns
功率耗散：150 W
柵極電荷 Qg：50 nC
下降時(shí)間：52 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：TO-263
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.158 Ohms
漏極連續(xù)電流：21 A
汲極/源極擊穿電壓：500 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：STMicroelectronics

以上是STB28NM50N的詳細(xì)信息，包括STB28NM50N廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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