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STB21NM60N

廠家：: STMicroelectronics
封裝：: D2PAK
數(shù)量：: 5904
說明：: MOSFET N-Ch 600 V 0.19 Ohm 17 A 2nd Gen MDmesh

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STB21NM60N PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時間：84 ns
工廠包裝數(shù)量：1000
上升時間：15 ns
功率耗散：140 W
最小工作溫度：- 55 C
正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）：12 S
下降時間：31 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：D2PAK
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.19 Ohms
漏極連續(xù)電流：17 A
閘/源擊穿電壓：+/- 25 V
汲極/源極擊穿電壓：600 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：STMicroelectronics

以上是STB21NM60N的詳細(xì)信息，包括STB21NM60N廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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