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首頁(yè) > 電子元件分類 > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > MOSFET > STB18N60DM2

STB18N60DM2

廠家：: STMicroelectronics
封裝：: D2PAK（TO-263）
數(shù)量：: 2547
說(shuō)明：: MOSFET N-CH 600V 12A D2PAK

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STB18N60DM2 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
：150°C（TJ）
功率耗散（最大值）：90W（Tc）
FET 功能：-
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）：800 pF @ 100 V
Vgs（最大值）：±25V
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷?(Qg)（最大值）：20 nC @ 10 V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）：5V @ 250μA
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：295 毫歐 @ 6A，10V
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：12A（Tc）
漏源電壓（Vdss）：600 V
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
FET 類型：N 通道
產(chǎn)品狀態(tài)：在售
包裝：MDmesh? DM2
系列：卷帶（TR）,剪切帶（CT）,Digi-Reel? 得捷定制卷帶
品牌：STMicroelectronics

以上是STB18N60DM2的詳細(xì)信息，包括STB18N60DM2廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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