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STB13NM50N-1

廠家：: STMicroelectronics
封裝：: I2PAK
數(shù)量：: 4914
說明：: MOSFET N Ch 600V 6A Hyper fast IGBT

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STB13NM50N-1 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時(shí)間：40 ns
工廠包裝數(shù)量：1000
上升時(shí)間：15 ns
功率耗散：100 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時(shí)間：10 ns
包裝形式：Tube
封裝形式：I2PAK
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.32 Ohms
漏極連續(xù)電流：12 A
閘/源擊穿電壓：+/- 25 V
汲極/源極擊穿電壓：500 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：STMicroelectronics

以上是STB13NM50N-1的詳細(xì)信息，包括STB13NM50N-1廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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