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SSM6J53FE(TE85L,F)

廠家：: Toshiba
封裝：: ES6
數(shù)量：: 6408
說明：: MOSFET P-CH 20V 1.8A ES6

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SSM6J53FE(TE85L,F) PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
FET 型MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET 特點(diǎn)邏輯電平門
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C136 毫歐 @ 1A, 2.5V
漏極至源極電壓(Vdss)20V
Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）1V @ 1mA
閘電荷(Qg) @ Vgs10.6nC @ 4V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C1.8A
在 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss) 568pF @ 10V
功率 - 最大500mW
安裝類型表面貼裝

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