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SQS462EN-T1-GE3

廠(chǎng)家:
  Vishay/Siliconix
封裝:
 1212-8
數(shù)量:
 2619  
說(shuō)明:
 MOSFET 60V 8A 33W
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SQS462EN-T1-GE3 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:

零件號(hào)別名:SQS462EN-GE3
典型關(guān)閉延遲時(shí)間:12 ns
上升時(shí)間:9 ns
功率耗散:33 W
最小工作溫度:- 55 C
柵極電荷 Qg:8 nC
正向跨導(dǎo) gFS(最大值/最小值) :11 S
下降時(shí)間:8 ns
包裝形式:Reel
封裝形式:1212-8
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 175 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.063 Ohms
漏極連續(xù)電流:8 A
汲極/源極擊穿電壓:60 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產(chǎn)品種類(lèi):MOSFET
制造商:Vishay

以上是SQS462EN-T1-GE3的詳細(xì)信息,包括SQS462EN-T1-GE3廠(chǎng)家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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