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SQ9945BEY-T1-GE3

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: SO-8
數(shù)量：: 5202
說明：: MOSFET 60V 5.4A 4W N-Ch Automotive

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SQ9945BEY-T1-GE3 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

零件號別名：SQ9945BEY-GE3
典型關(guān)閉延遲時間：17 nS
上升時間：2.8 nS
功率耗散：4 W
最小工作溫度：- 55 C
柵極電荷 Qg：8 nC
下降時間：1.7 nS
包裝形式：Reel
封裝形式：SO-8
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 175 C
配置：Dual
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.064 Ohms at 10 V
漏極連續(xù)電流：5.4 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：60 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SQ9945BEY-T1-GE3的詳細(xì)信息，包括SQ9945BEY-T1-GE3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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