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SPP100N06S2-05

廠家:
  Infineon Technologies
封裝:
 PG-TO220-3-1
數(shù)量:
 1782  
說明:
 MOSFET N-CH 55V 100A TO-220
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SPP100N06S2-05 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:
FET 型MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點(diǎn)標(biāo)準(zhǔn)型
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C5 毫歐 @ 80A, 10V
漏極至源極電壓(Vdss)55V
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs170nC @ 10V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C100A
在 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss) 6800pF @ 25V
功率 - 最大300W
安裝類型通孔

以上是SPP100N06S2-05的詳細(xì)信息,包括SPP100N06S2-05廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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