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SPN02N60S5

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: PG-SOT223-4
數(shù)量：: 2169
說(shuō)明：: MOSFET TRANSISTOR

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SPN02N60S5 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時(shí)間：110 ns
工廠包裝數(shù)量：1000
上升時(shí)間：15 ns
功率耗散：1.8 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時(shí)間：15 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：SOT-223-4
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single Dual Drain
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：3 Ohms
漏極連續(xù)電流：400 mA
閘/源擊穿電壓：3.5 V
汲極/源極擊穿電壓：600 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Infineon

以上是SPN02N60S5的詳細(xì)信息，包括SPN02N60S5廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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