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首頁(yè) > 電子元件分類 > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > MOSFET > SPD08P06P G

SPD08P06P G

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: TO-252
數(shù)量：: 4005
說(shuō)明：: MOSFET P-CH 60V 8.8A

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SPD08P06P G PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

零件號(hào)別名：SP000450534 SPD08P06PGBTMA1 SPD08P06PGXT
典型關(guān)閉延遲時(shí)間：48 ns
工廠包裝數(shù)量：1
上升時(shí)間：46 ns
功率耗散：42 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時(shí)間：14 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：TO-252
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 175 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：300 mOhms
漏極連續(xù)電流：- 8.8 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：- 60 V
晶體管極性：P-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Infineon

以上是SPD08P06P G的詳細(xì)信息，包括SPD08P06P G廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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