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SPB80N03S2L-04 G

廠家：
  Infineon Technologies
封裝：
 TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB
數(shù)量：
 2799  
說明：
 MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
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SPB80N03S2L-04 G PDF參數(shù)資料

PDF點擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下：

FET 型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點：邏輯電平門
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：3.9 毫歐 @ 80A, 10V
漏極至源極電壓(Vdss)：30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C：80A
Id 時的 Vgs(th)（最大）：2V @ 130µA
閘電荷(Qg) @ Vgs：105nC @ 10V
在 Vds 時的輸入電容(Ciss) ：3900pF @ 25V
功率 - 最大：188W
安裝類型：表面貼裝

以上是SPB80N03S2L-04 G的詳細(xì)信息，包括SPB80N03S2L-04 G廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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