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SPB80N03S2L-06 G

廠家:
  Infineon Technologies
封裝:
 TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB
數(shù)量:
 2844  
說明:
 MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
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SPB80N03S2L-06 G PDF參數(shù)資料

PDF點擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下:

FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點:邏輯電平門
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:5.9 毫歐 @ 80A, 10V
漏極至源極電壓(Vdss):30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:80A
Id 時的 Vgs(th)(最大):2V @ 80µA
閘電荷(Qg) @ Vgs:68nC @ 10V
在 Vds 時的輸入電容(Ciss) :2530pF @ 25V
功率 - 最大:150W
安裝類型:表面貼裝

以上是SPB80N03S2L-06 G的詳細信息,包括SPB80N03S2L-06 G廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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