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SPB100N03S2-03 G

廠家:
  Infineon Technologies
封裝:
 TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB
數(shù)量:
 2358  
說明:
 MOSFET TRAN MOSFET N-CH 30V 100A 3-PIN TO-263
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SPB100N03S2-03 G PDF參數(shù)資料

PDF點擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下:

零件號別名:SPB100N03S203GXT
典型關(guān)閉延遲時間:44 ns
工廠包裝數(shù)量:1000
上升時間:40 ns
功率耗散:300 W
最小工作溫度:- 55 C
下降時間:39 ns
包裝形式:Reel
封裝形式:TO-263
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 175 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.0033 Ohms
漏極連續(xù)電流:100 A
閘/源擊穿電壓:+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓:30 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產(chǎn)品種類:MOSFET
制造商:Infineon

以上是SPB100N03S2-03 G的詳細(xì)信息,包括SPB100N03S2-03 G廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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