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SPB100N06S2L-05

廠家:
  Infineon Technologies
封裝:
 TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB
數(shù)量:
 1125  
說(shuō)明:
 MOSFET N-CH 55V 100A D2PAK
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SPB100N06S2L-05 PDF參數(shù)資料

PDF點(diǎn)擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下:
FET 型MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點(diǎn)邏輯電平門(mén)
開(kāi)態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C4.4毫歐 @ 80A, 10V
漏極至源極電壓(Vdss)55V
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大)2V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs230nC @ 10V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C100A
在 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss) 7530pF @ 25V
功率 - 最大300W
安裝類型表面貼裝

以上是SPB100N06S2L-05的詳細(xì)信息,包括SPB100N06S2L-05廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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