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首頁 > 電子元件分類 > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > MOSFET > SP8J65TB1

SP8J65TB1

廠家：: Rohm Semiconductor
封裝：: 8-SOP
數(shù)量：: 1602
說明：: MOSFET P-CH DUAL 30V 7A 8SOIC

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SP8J65TB1 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

FET 型：2 個(gè) P 溝道（雙）
FET 特點(diǎn)：邏輯電平門
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：29 毫歐 @ 7A, 10V
漏極至源極電壓(Vdss)：30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C：7A
Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）：2.5V @ 1mA
閘電荷(Qg) @ Vgs：18nC @ 5V
在 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss) ：1200pF @ 10V
功率 - 最大：2W
安裝類型：表面貼裝

以上是SP8J65TB1的詳細(xì)信息，包括SP8J65TB1廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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